Ёмкость: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2 (2280)
Интерфейс: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c
Габариты: 80,15 x 22,15 x 2,38 мм.
Скорость чтения: до 7000 MБ/с.
Скорость записи: до 5000 MБ/с.
Основная память: Samsung V-NAND 3-bit MLC
Контроллер: Samsung Elpis Controller
Буферная память: Samsung 1 ГБ Low Power DDR4 SDRAM
Надежность (MTBF): 1.5 млн. часов (ср. время наработки на отказ, сокр. MTBF)
Диапазон рабочих температур: 0 - 70 град. С℃
Устойчивость к ударам: 1500 G в течение 0